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由于石墨烯独特的电子结构及良好的导电性，因此石墨烯很有可能成为组成纳米电子器件的比较好材料。目前研究**为***也是**热门的课题之一就是制备基于石墨烯的透明导电薄膜以代替昂贵的氧化铟锡（ITO）电极。由于氧化石墨烯可大规模生产并
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石墨烯表面呈惰性，不含任何活性基团，所以与聚合物基体之间的作用力非常小，同时对加工处理也造成了一定的困难。而氧化石墨烯表面由于大量的亲水基团，因此与大多数非水溶性的聚合物也会发生不相容的情况。因此，对石墨烯以及氧化石墨烯进行表面改
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聚合物太阳能电池常采用氧化铟锡（ITO）作为透明导电电极。其中ITO成本较高，机械稳定性较差，即使在很小的外界机械应力作用下ITO膜也易产生微裂纹导致膜电阻增加，从而使光电器件的性能下降。石墨烯优异的光学性能和机械强度及韧性，使其
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GO的二维纳米材料属性:纳米厚度、微米级平面尺寸从而具有极高的比表面积;高氧化程度GO的非晶态特征，使其能作为良好的2D模板，应用于制备纳米复合材料．2016年Huang［84］等人发明了一种自下而上的方法来制备类石墨烯二维Al2
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氧化石墨烯与聚合物复合材料的制备可以追溯到上个世纪。在这些复合材料中，氧化石墨通常是在水溶液中超声剥离，尽管在当时单层的氧化石墨烯并没有被明确的指出，但是科学家发现这种超声剥离后的片层非常薄，厚度在1.8~2.8nm之间，说明得到
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