n型二极管的下层为n型掺杂区，上层为p型掺杂区，下层底面镀银，上层顶面镀铝；第三整流二极管dz3及第四整流二极管dz4为p型二极管，p型二极管的下层为p型掺杂区，上层为n型掺杂区，下层底面镀银，上层顶面镀铝。所述一整流二极管dz1的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于高压供电基岛13上，正极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第二整流二极管dz2的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上，正极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。所述第三整流二极管dz3的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于信号地基岛14上，负极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第四整流二极管dz4的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述信号地基岛14上，负极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。需要说明的是，所述整流二极管可以是由单一pn结构成的二极管，也可以是通过其他形式等效得到的二极管结构，包括但不限于mos管，在此不一一赘述。需要说明的是，本实用新型中所述的“连接至管脚”包括但不限于通过金属引线直接连接管脚(金属引线的一端设置在管脚上)，还包括通过金属引线连接与管脚连接的导电部件。
所述负载为led灯串，所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv，负极连接所述漏极管脚drain。如图2所示，所述一采样电阻rcs1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用，适用于高压线性(3w～12w)。实施例二如图3所示，本实施例提供一种合封整流桥的封装结构，与实施例一的不同之处在于，所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管df，且功率开关管121及逻辑电路122分立设置。如图3所示，在本实施例中，所述高压续流二极管df采用n型二极管，所述高压续流二极管df的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上，正极通过金属引线连接漏极基岛15，进而实现与所述漏极管脚drain的连接。需要说明的是，所述高压续流二极管df也可采用p型二极管，粘接于漏极基岛15上，在此不一一赘述。如图3所示，所述功率开关管121的漏极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上，源极s通过金属引线连接所述采样管脚cs。所述逻辑电路122为芯片结构，其底面为绝缘材料，设置于所述信号地基岛14上，控制信号输出端out通过金属引线连接所述功率开关管121的栅极g，采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。
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