也就是MOS管没有二次击穿现象,可见采用MOS管作为开关管,其开关管的损坏率大幅度的降低,近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后,开关管损坏率降低也是一个极好的证明。11、MOS管导通后其导通特性呈纯阻性:普通晶体三极管在饱和导通是,几乎是直通,有一个极低的压降,称为饱和压降,既然有一个压降,那么也就是;普通晶体三极管在饱和导通后等效是一个阻值极小的电阻,但是这个等效的电阻是一个非线性的电阻(电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律),而MOS管作为开关管应用,在饱和导通后也存在一个阻值极小的电阻,但是这个电阻等效一个线性电阻,其电阻的阻值和两端的电压降和流过的电流符合欧姆定律的关系,电流大压降就大,电流小压降就小,导通后既然等效是一个线性元件,线性元件就可以并联应用,当这样两个电阻并联在一起,就有一个自动电流平衡的作用,所以MOS管在一个管子功率不够的时候,可以多管并联应用,且不必另外增加平衡措施(非线性器件是不能直接并联应用的)。MOS管和普通的晶体三极管相比,有以上11项优点,就足以使MOS管在开关运用状态下完全取代普通的晶体三极管。目前的技术MOS管道VDS能做到1000V。
MOSFET)功率器件领域的优先,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,止步!高压mos管产品深圳KIA可易亚电子,专注于功率半导体开发得基础,在2007年KIA在韩国浦项工科大学内拥有了专业合作设计研发团队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司KIA率先成功研新型MOSFET系列产品,可以提供样品,以及有多种封装SOT-89TO-92、262、263、251、220F等。高压mos管产品特点(1)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大(3)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数(5)场效应管的抗辐射能力强(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声。
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