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青海MOS管加工厂 江苏芯钻时代电子科技供应

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  • ***更新: 2023-03-22 10:25:02
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青海MOS管加工厂 江苏芯钻时代电子科技供应详细说明

    原因是导通电阻小,且容易。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,大电压等,大电流等,也有很多人考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是的,作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被**成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,*。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。

    MOS管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。所有MOS集成电路(包括P沟道MOS,N沟道MOS,互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm、50nm、80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护,虽然如此,器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD),实验指出,在高电压放电时器件会失效,器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式,严重的也是容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端VDDGND短路或开路,器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化,那就更难察觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。MOS管的定义MOS管做为电压驱动大电流型器件,在电路尤其是动力系统中大量应用,MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的MOS管体二极管,又称寄生二极管。

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