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晶体二极管的分类
依据用处分类
雪崩二极管(Avalanche Diode)
它是在外加电压效果下能够发作高频振动的晶体管。发作高频振动的作业原理是栾的：使用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需求必定的时刻，所以其电流滞后于电压，呈现延迟时刻，若适当地操控渡越时刻，那么，在电流和电压关系上就会呈现负阻效应，然后发作高频振动。它常被应用于微波范畴的振动电路中。
江崎二极管 （Tunnel Diode）
它是以地道效应电流为首要电流重量的晶体二极管。其基底资料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。地道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所发作。发作地道效应具有如下三个条件：①费米能级坐落导带和满带内；②空间电荷层宽度有必要很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其首要参数有峰谷电流比（IP／PV），其间，下标“P”**“峰”；而下标“V”**“谷”。江崎二极管能够被应用于低噪声高频放大器及高频振动器中（其作业频率可达毫米波段），也能够被应用于高速开关电路中。
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