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碳化硅MOS的优势
硅IGBT在一般状况下只能作业在20kHz以下的频率。因为受到资料的约束，高压高频的硅器材无法实现。碳化硅MOSFET不只适合于从600V到10kV的广电压范围，一起具有单极型器材的***开关功能。比较于硅IGBT，碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的状况具有更低的开关损耗和更高的作业频率。
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