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2026-08
星期 五
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广州磁控溅射用途 广东省科学院半导体研究所供应
磁控溅射方案的设计与实施，是实现高质量薄膜沉积的关键环节。磁控溅射本质上是入射粒子与靶材之间的碰撞过程，入射粒子在靶材中经历复杂的散射，携带动量传递给靶原子，激发靶原子产生级联碰撞，使部分原子获得足够动量从靶表面溅射出来。方案的制
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2026-08
星期 五
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广州单靶磁控溅射用处 广东省科学院半导体研究所供应
该研究所将磁控溅射技术与半导体器件封装工艺深度融合，开发了高性能金属化薄膜制备方案。针对MEMS器件的微型化需求，采用射频磁控溅射技术在硅基衬底上沉积Ti/Au复合金属层，通过控制靶基距与基片温度，使金属膜层厚度精度达到±2nm。
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2026-08
星期 五
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广州高温磁控溅射方案 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所在反应磁控溅射领域的工艺优化成果，尤其在化合物薄膜制备中形成技术特色。针对传统反应溅射中靶材“中毒”导致的沉积速率骤降问题，团队采用脉冲磁控溅射技术，通过优化脉冲频率与占空比，平衡了靶材溅射与表面反应速率。
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2026-08
星期 四
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广州单靶磁控溅射分类 广东省科学院半导体研究所供应
光电材料的磁控溅射制备对工艺的精细调控提出了较高要求，不同光电功能材料对薄膜的均匀性、厚度和成分控制均有严格标准。定制化的磁控溅射服务能够针对客户特定需求，调整溅射参数，实现材料性能的发挥。广东省科学院半导体研究所具备先进的磁控溅
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2026-08
星期 四
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广州双靶磁控溅射平台 广东省科学院半导体研究所供应
金属薄膜磁控溅射工艺是通过高能粒子撞击靶材表面，使靶原子获得足够动能后脱离靶面，穿过真空沉积在基板上的过程。此工艺在制备金属薄膜时，能够实现良好的薄膜致密性和平整度，适合Ti、Al、Ni、Cr、Pt、Cu等多种金属的沉积。工艺参数
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